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総合科学科 / 電子制御工学科 / 産業システム工学専攻

酒池耕平

英名	Kohei Sakaike
学科 / 専攻科	総合科学科 / 電子制御工学科 / 産業システム工学専攻
職位	准教授
学位	博士（工学）
役職・委員	専攻科長、電子制御工学科５年副担任、運営委員会、総合企画調整会議、専攻科委員会、教務委員会、入試委員会、施設整備委員会、FD委員会、ハラスメント防止対策委員会 etc.
専門分野	半導体工学
所属学会・協会	公益財団法人応用物理学会
主な研究テーマ	高機能フレキシブルデバイス実現に向けた低温プロセス技術の開発
キーワード	#絶縁膜#フレキシブルデバイス#シリコン#金属薄膜
技術相談分野	SiO₂ 絶縁膜低温形成技術フレキシブルデバイスプロセス技術インクジェット配線描画技術低温プラズマジェット処理技術レーザアニール技術

担当科目

電子工学

パワーエレクトロニクス

電子回路設計

研究紹介

高機能フレキシブルデバイス実現に向けた低温プロセス技術の開発

特徴

半導体デバイスのゲート絶縁膜や層間絶縁膜、コーティングなど多岐に応用が可能な二酸化珪素 (SiO₂) 薄膜は、液体のプリカーサーであるパーヒドロポリシラザン (Perhydropolysilazane : PHPS) 溶剤を用いることで様々な基材上に非真空・大気圧下で成膜することが可能となる。無機膜が得られるPHPS (SiH₂NH) は、450 ℃ で 1 時間以上加熱することにより、大気中のH₂Oと化学反応しSiO₂ 膜へとシリカ転化させる。プラスチックフィルムが耐えうる 100 ℃ 以下 50 ℃ 程度の低温でシリカ転化が可能となれば、近年注目されているフレキシブルエレクトロニクス等への広範な応用が期待できる。本研究では、ポリシラザンを 50 ℃ 程度の低温で高品質 SiO₂ 膜へとシリカ転化させる独自技術の開発を行う。