酒池　耕平

1. 電子の基本的な性質と、真空中又は原子中における電子の振る舞いを説明できる。
2. 半導体のエネルギーバンドおよびキャリアのエネルギー・密度について説明できる。
3. 電子エネルギーに基づき基本的な電子デバイスの動作について説明できる。

• 1．半導体素子を用いた電力機器の駆動原理を理解する。
• 2．直流-直流変換の原理を理解する。
• 3．直流-交流変換の原理を理解する。

• １．トランジスタの小信号等価回路と回路の線形化が理解できる。
• ２．差動増幅回路の解析ができ、差動増幅回路の特性が理解できる。
• ３．オペアンプとその基本回路の解析ができ、基本回路の動作が理解・計算できる。
• ４．帰還回路・発振回路の動作が解析でき、任意の周波数で発振する回路が設計・計算できる。

• 高機能フレキシブルデバイス実現に向けた低温プロセス技術の開発

• フレキシブル、シリコン、電子デバイス

• シリコンデバイス形成技術
• レーザアニール技術

概要

半導体デバイスのゲート絶縁膜や層間絶縁膜、コーティングなど多岐に応用が可能な二酸化珪素 (SiO₂) 薄膜は、液体のプリカーサーであるパーヒドロポリシラザン (Perhydropolysilazane : PHPS) 溶剤を用いることで様々な基材上に非真空・大気圧下で成膜することが可能となる。無機膜が得られるPHPS (SiH₂NH) は、450 ℃ で 1 時間以上加熱することにより、大気中のH₂Oと化学反応しSiO₂ 膜へとシリカ転化させる。プラスチックが耐えうる100 ℃ 以下の低温でシリカ転化が可能となれば、近年注目されているフレキシブルエレクトロニクス等への広範な応用が期待できる。本研究では、ポリシラザンを100℃以下の低温で高品質 SiO₂ 膜へとシリカ転化させる技術の開発を行う。

1. K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates"　Japanese Journal of Applied Physics . 54, 04DA08-1 (2015).
2. K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, M.　Akazawa,　and S. Higashi, "A Technique for Local Area Transfer and Simultaneous Crystallization of Amorphous Silicon Layer with Midair Cavity by Irradiation with Near-infrared Semiconductor Diode Laser", Jpn. J. Appl. Phys. 53, 040303-1 (2014).
3. K. Sakaike, M. Akazawa, S. Nakamura, and S. Higashi, "Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force" Appl. Phys. Lett. 103, 233510-1 (2013).　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
4. 他

1. K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Low-temperature Layer Transfer of Midair-cavity Silicon Films by Meniscus Force and Its Application to High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication on a Polyethylene Terephthalate Substrate" Abst.of The Electrochemical Society (ECS), 1928 (Cancun, Mexico November 5 - 10, 2014)
2. K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Fabrication of High Performance Single-Crystalline Silicon Thin Film Transistors on a Polyethylene
   Terephthalate Substrate" Abst.of International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), 6666 (Tsukuba, Ibaraki, Japan September 8 - 11, 2014).
3. K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, M. Akazawa, S. Hayashi, S. Morisaki, M. Ikeda, and S. Higashi, "Local Area Transfer and Simultaneous Crystallization Technique for Amorphous Si Films with Midair Structure by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation" Abst. of the 25th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS), PM03 (Toronto, Ontario Canada, August 18 - 23, 2013).　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
4. 他