酒池 耕平
教員紹介
| 氏名 / 英名 | 酒池 耕平 / Kohei Sakaike |
|---|---|
| 学科 | 電子制御工学科 |
| 職位 | 准教授 |
| 学位 | 博士（工学） |
| 役職・委員 |
専攻科長、電子制御工学科５年副担任、運営委員会、総合企画調整会議、専攻科委員会、教務委員会、入試委員会、施設整備委員会、FD委員会、ハラスメント防止対策委員会 etc. |
| 専門分野 | 半導体工学 |
| 担当教科 | 電子工学（３年）、電子回路設計（５年）、パワーエレクトロニクス（５年）、電子物性工学（専攻科）、技術者倫理（４年）、工業英語（５年）実験実習（２年前期・後期、４年前期・後期）、卒業研究（４年、５年） |
| 資格等 | |
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所属学会・協会 |
公益財団法人 応用物理学会 |
| TEL・E-mail | （代表）0846-65-3101 |
担当科目と概要
電子工学（３年）
電子回路を設計あるいは運用するために必要な電子デバイスに関する「真空中・原子中の電子」「固体内の電子のエネルギー・密度」「電子デバイス」の基礎知識を修得することを目標とする。
- 電子の基本的な性質と、真空中又は原子中における電子の振る舞いを説明できる。
- 半導体のエネルギーバンドおよびキャリアのエネルギー・密度について説明できる。
- 電子エネルギーに基づき基本的な電子デバイスの動作について説明できる。
パワーエレクトロニクス（５年）
自然科学や専門分野の知識・技術として機械エネルギーと電気エネルギーの変換を行う発電機や電動機の駆動源となる電源装置の構成と動作原理を理解することを目的とする。
- 1．半導体素子を用いた電力機器の駆動原理を理解する。
- 2．直流-直流変換の原理を理解する。
- 3．直流-交流変換の原理を理解する。
電子回路設計（５年）
電子機器の設計に不可欠となっている電子回路に関する知識・技術を修得し、それを実際に活用してシステムを作る基礎能力を習得することを目的とする。
- １．トランジスタの小信号等価回路と回路の線形化が理解できる。
- ２．差動増幅回路の解析ができ、差動増幅回路の特性が理解できる。
- ３．オペアンプとその基本回路の解析ができ、基本回路の動作が理解・計算できる。
- ４．帰還回路・発振回路の動作が解析でき、任意の周波数で発振する回路が設計・計算できる。
研究紹介
主な研究テーマ
- 高機能フレキシブルデバイス実現に向けた低温プロセス技術の開発
キーワード
- 絶縁膜、フレキシブルデバイス、シリコン、金属薄膜
技術相談分野
- SiO2 絶縁膜低温形成技術
- フレキシブルデバイスプロセス技術
- インクジェット配線描画技術
- 低温プラズマジェット処理技術
- レーザアニール技術
研究内容
概要
半導体デバイスのゲート絶縁膜や層間絶縁膜、コーティングなど多岐に応用が可能な二酸化珪素 (SiO2) 薄膜は、液体のプリカーサーであるパーヒドロポリシラザン (Perhydropolysilazane : PHPS) 溶剤を用いることで様々な基材上に非真空・大気圧下で成膜することが可能となる。無機膜が得られるPHPS (SiH2NH) は、450 ℃ で 1 時間以上加熱することにより、大気中のH2Oと化学反応しSiO2 膜へとシリカ転化させる。プラスチックフィルムが耐えうる 100 ℃ 以下 50 ℃ 程度の低温でシリカ転化が可能となれば、近年注目されているフレキシブルエレクトロニクス等への広範な応用が期待できる。本研究では、ポリシラザンを 50 ℃ 程度の低温で高品質 SiO2 膜へとシリカ転化させる独自技術の開発を行う。
業績
学術論文（査読有）
- K. Sakaike and S. Higashi,"Silica conversion of polysilazanes by low-temperature plasma jet generated from Ar and water-vapor mixed gas" Selected for the AIP Publishing showcase ! (November 6, 2024).
- K. Sakaike and S. Higashi,"Silica conversion of polysilazanes by low-temperature plasma jet generated from Ar and water-vapor mixed gas" AIP Advances 14, 115205 (2024).
- K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates" Japanese Journal of Applied Physics . 54, 04DA08-1 (2015).
- K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, M. Akazawa, and S. Higashi, "A Technique for Local Area Transfer and Simultaneous Crystallization of Amorphous Silicon Layer with Midair Cavity by Irradiation with Near-infrared Semiconductor Diode Laser", Jpn. J. Appl. Phys. 53, 040303-1 (2014).
- K. Sakaike, M. Akazawa, S. Nakamura, and S. Higashi, "Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force" Appl. Phys. Lett. 103, 233510-1 (2013).
- 他17件
国際会議（査読有）
- K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Low-temperature Layer Transfer of Midair-cavity Silicon Films by Meniscus Force and Its Application to High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication on a Polyethylene Terephthalate Substrate" Abst.of The Electrochemical Society (ECS), 1928 (Cancun, Mexico November 5 - 10, 2014)
- K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Fabrication of High Performance Single-Crystalline Silicon Thin Film Transistors on a Polyethylene
Terephthalate Substrate" Abst.of International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), 6666 (Tsukuba, Ibaraki, Japan September 8 - 11, 2014). - K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, M. Akazawa, S. Hayashi, S. Morisaki, M. Ikeda, and S. Higashi, "Local Area Transfer and Simultaneous Crystallization Technique for Amorphous Si Films with Midair Structure by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation" Abst. of the 25th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS), PM03 (Toronto, Ontario Canada, August 18 - 23, 2013).
- 他47件(国内会議含む)